首爾2020年10月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。
SK海力士于2018年11月成功開發(fā)全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特爾等核心客戶提供樣品，并完成了一系列測(cè)試與性能、兼容性驗(yàn)證等程序。此番成果意味著SK海力士在即將到來(lái)的DDR5市場(chǎng)隨時(shí)能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。
期間，SK海力士與SoC1)（System On Chip）開發(fā)公司等不同企業(yè)共同運(yùn)營(yíng)現(xiàn)場(chǎng)分析研究室，并通過(guò)共同執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)別測(cè)試（System Level Test）及各種模擬測(cè)試完成了新產(chǎn)品的性能驗(yàn)證。與此同時(shí)，SK海力士還與諸多公司緊密合作，進(jìn)行了包括RCD2)（Register Clock Driver）、PMIC3)（Power Management IC）等構(gòu)成模組的主要部件的兼容性驗(yàn)證。
SK海力士推出的DDR5 DRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著能夠在1秒內(nèi)傳輸九部全高清（Full-HD, FHD）電影。不僅如此，該產(chǎn)品的動(dòng)作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V，成功減少了20%的功耗。
SK海力士DDR5 DRAM的另一個(gè)顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯(cuò)誤糾正代碼（Error Correction Code, ECC）；內(nèi)置ECC能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元（cell）單字節(jié)單位的錯(cuò)誤。有助于該特性，采用SK海力士DDR5 DRAM的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技術(shù)相結(jié)合，更能夠組成容量高達(dá)256GB的高容量模組。
SK海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的DDR5 DRAM將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營(yíng)成本。
英特爾數(shù)據(jù)平臺(tái)部門（Data Platforms Group）的Carolyn Duran副總裁（Vice President）表示：“為了樹立基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的初期結(jié)構(gòu)概念（early architecture concept）并完成DDR5標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的開發(fā)，英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關(guān)系。雙方為了確保產(chǎn)品性能，進(jìn)行了試制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證；這意味著兩家公司已經(jīng)做好了滿足客戶需求的準(zhǔn)備。”
吳鐘勛SK海力士副社長(zhǎng)兼首席營(yíng)銷官（Chief Marketing Officer, CMO）則表示：“SK海力士成功推出世界首款DDR5 DRAM，得以在DRAM市場(chǎng)占據(jù)未來(lái)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。我公司將重點(diǎn)瞄準(zhǔn)快速成長(zhǎng)的高端服務(wù)器市場(chǎng)，進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器DRAM領(lǐng)域擁有的領(lǐng)先地位。”
固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式發(fā)布了DDR5 DRAM的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
而市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia分析指出，對(duì)DDR5的市場(chǎng)需求將從2020年開始逐步顯現(xiàn)；其市占率將在2022年占整個(gè)DRAM市場(chǎng)的10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至43%。
新思科技（Synopsys），瑞薩（Renesas），瀾起科技（Montage Technology），Rambus等企業(yè)也紛紛表示將為了打造DDR5生態(tài)圈而保持緊密合作關(guān)系。
負(fù)責(zé)IP營(yíng)銷與戰(zhàn)略的John Koeter新思科技高級(jí)副總裁指出：“通過(guò)與SK海力士的合作，新思科技將為需要超高速、高容量存儲(chǔ)器的高性能計(jì)算（High Performance Computing, HPC）SoC提供高信賴度的DDR5解決方案。新思科技通過(guò)SK海力士的DDR5 RDIMM模組，在最大傳輸速率6,400Mbps的環(huán)境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的驗(yàn)證，這意味著將設(shè)計(jì)者的風(fēng)險(xiǎn)最小化的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)密集型的高性能SoC。”
Rami Sethi瑞薩副總裁兼數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門（Data Center Business Division）總經(jīng)理（General Manager）表示：“瑞薩在過(guò)去二十年作為倡導(dǎo)存儲(chǔ)器接口市場(chǎng)的企業(yè)，對(duì)與諸多合作公司及客戶建立的合作關(guān)系感到十分自豪。通過(guò)此番與SK海力士的緊密合作，瑞薩成功完成了涉及服務(wù)器、客戶、內(nèi)置系統(tǒng)等諸多應(yīng)用領(lǐng)域的DDR5 DRAM產(chǎn)品的驗(yàn)證。”
負(fù)責(zé)銷售與經(jīng)營(yíng)開發(fā)（Sales and Business Development）的Geof Findley瀾起科技副總裁則表示：“我們非常高興能夠與SK海力士為了打造DDR5存儲(chǔ)器生態(tài)圈而相互合作。瀾起科技在早期DDR存儲(chǔ)器萌芽之際就已經(jīng)與SK海力士展開了合作關(guān)系，我公司承諾持續(xù)提供高性能、低能耗的存儲(chǔ)器接口解決方案。目前，瀾起科技能夠提供涵蓋不同領(lǐng)域的全方位DRAM模組接口產(chǎn)品，很高興能夠再次與SK海力士合作，為DDR5市場(chǎng)的加速發(fā)展添一份力。”
Chien-Hsin Lee Rambus副總裁兼集成電路部門（Integrated Circuits）總經(jīng)理認(rèn)為：“我們非常高興在實(shí)現(xiàn)下一代新技術(shù)等領(lǐng)域與SK海力士合作，進(jìn)而為營(yíng)造DDR5生態(tài)圈貢獻(xiàn)。我們相信，采用全新存儲(chǔ)器接口的DDR5 DRAM模組將幫助提升服務(wù)器性能，并滿足需要高容量、高帶寬存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的需求。”
注解
- SoC (System on Chip)
又稱系統(tǒng)級(jí)芯片，指將與中央處理器（CPU）及系統(tǒng)Bus相結(jié)合的周邊電路裝置（存儲(chǔ)器控制器、PCIe Bus等）集成至單一芯片的解決方案。
- RCD (Register Clock Driver)
又稱寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片，是用于服務(wù)器DRAM模組（RDIMM、LRDIMM）的有源元件（active element），其功能是放大從存儲(chǔ)器控制器適用至存儲(chǔ)器的指令及數(shù)據(jù)信號(hào)，進(jìn)而保障發(fā)射機(jī)（transmitter）與接收機(jī)（receiver）之間信號(hào)品質(zhì)。
- PMIC (Power Management Integrated Circuit)
又稱電源管理集成電路，指接收主電源輸出并為電子設(shè)備提供其所需的穩(wěn)定、高效的電壓、電流的集成電路；PMIC是在DDR5這一代被DRAM模組首次采用。
關(guān)于SK海力士
SK海力士總部位于韓國(guó), 是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商, 為全球客戶提供DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器), NAND閃存(NAND快閃存儲(chǔ)器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導(dǎo)體產(chǎn)品。公司于韓國(guó)證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請(qǐng)點(diǎn)擊公司網(wǎng)站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。
