上海2025年4月1日 /美通社/ -- 全球領先的光芯片技術公司HieFo瀚孚光電宣布推出多款全新高效率連續波（CW）DFB磷化銦（InP）激光器，這些產品旨在滿足市場對硅光收發器日益增長的需求。
典型遠場圖樣（15° x 18°）
專為無溫控強度調制直探測應用設計的專有新結構
HieFo瀚孚光電的無溫控O波段CW激光器系列產品，在-5°C至75°C的工作溫度范圍內支持CWDM4波長方案，同時保持最低70mW的光輸出功率。這些性能參數通過采用無鋁的有源量子阱結構實現。該設計為光收發器行業在高溫、非密封封裝應用中，樹立了可靠性與性能的新標桿。
相干光傳輸中的新效率里程碑
HieFo瀚孚光電通過對先前發布的HCL30 CW DFB激光器芯片進行創新，達成了新的性能水平——利用近期提交的12項專利技術，1毫米腔長激光器芯片可實現超過200mW的典型光輸出功率，同時實現低于300kHz的光譜線寬，并在寬功率范圍內實現30%以上的電光轉換效率（WPE）。HieFo瀚孚光電可提供該激光器設計的定制O波段波長版本，適用于從數據中心到無源光網絡（PON）架構等各種相干應用。
"HieFo瀚孚光電最新的產品進展，完美契合業界領先硅光子設計所需的嚴苛性能標準。"HieFo瀚孚光電董事長兼聯合創始人Harry Moore表示，"我們將持續貫徹HieFo瀚孚光電的核心使命——開發并制造行業中最高效、最可靠的磷化銦（InP）芯片。"
HieFo瀚孚光電將在OFC2025上展示及介紹以上創新產品。
