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韓國首爾2026年3月11日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，公司近期已完成SiC（碳化硅）平面MOSFET工藝平臺的開發。當前，該平臺在新一代化合物功率半導體市場中正備受青睞。公司還透露，已獲得一家新客戶的1200V SiC MOSFET產品開發訂單，這標志著其全面啟動SiC化合物半導體代工業務。
SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工藝平臺支持450V至2300V的寬電壓范圍。該平臺已在高壓工作環境下獲得了高可靠性與穩定性數據，證明了其卓越性能。此外，通過全面優化工藝流程并實現對核心制程的精準管控，公司已將產品良率提升至90%以上，同時提高了生產效率。SK keyfoundry還表示，公司提供差異化的"定制化工藝支持服務"，能夠根據客戶的特定需求微調電氣特性與規格參數。
隨著該工藝平臺開發的完成，SK keyfoundry已獲得一家專注于SiC設計的客戶的1200V高壓產品訂單，并啟動了產品開發工作。該工藝將應用于客戶的工業設備，在熱效率管理方面發揮關鍵作用。完成樣片評估和可靠性驗證后，公司計劃于2027年上半年啟動全面量產。
此次SiC平面MOSFET工藝平臺的開發，是SK keyfoundry收購SiC專業公司SK powertech后，整合雙方核心能力的首個成果。技術研發完成后隨即獲得實際客戶訂單，也印證了該平臺已跨越技術驗證階段，具備了可立即投入商業化的成熟度與競爭力。
SK keyfoundry首席執行官Derek D. Lee表示："SiC平面MOSFET工藝平臺的開發，標志著SK keyfoundry已在全球化合物半導體市場確立了獨立的技術領導地位。依托我們兼具高良率與高可靠性的差異化工藝，我們將持續拓展高壓功率半導體解決方案，以滿足國內外客戶的需求。"
